El cambio resistivo de las capas de óxido delgado se considera el siguiente avance en el tiempo de los dispositivos de memoria y la computación neuromórfica.  Los dispositivos basados en este mecanismo puede, bajo un estímulo eléctrico appropiado, cambiar reversiblemente su estado de resitencia y retener este valor incluso cuando se apaga la alimentación.  Este es un efecto no volatil que se basa en la formación y disolución de vías filamentosas que abarcan la película dieléctrica y que sustituyen el principio de carga de almacenamiento utilizados en los dispositivos de almacenamito convencionales.  En esta presentación, a partir de la física cuántica de los conductores filamentosos, los efectos de histérisis asociados con RS en las RAM resistivas, la conexión con los sistemas memristivos de Chua y la implementación de modelos compactos para estos dispositivos en LTSpice serán discutidos.

Speaker(s): Enrique Miranda,

Location:
Cuenca, Azuay