IEEE is one of the two major developers of international standards that give requirements and best practices related to power quality. Historically, power quality standards have been “load based” while more recently interest and emphasis have increased regarding “generation based” documents. In this seminar, we will review many of the relevant IEEE standards in their present form, consider some of their history, and consider what changes are being debated for future revisions. The seminar will include the traditional topics of harmonics, voltage fluctuations and flicker, and unbalance as they relate to energy-consuming installations in such documents as IEEE Stds 519 and 1453 and also as they relate to energy-producing installations in Stds 1547 and 2800. We will also discuss the IEEE Emerald Book (Std 1100) as well as standards related to overall voltage quality, voltage sags, power quality measurement, and others. We will also discuss the organizational and procedural aspects of IEEE standards development, harmonization with the International Electrotechnical Commission, and ways to participate and make contributions. Co-sponsored by: Departamento de Potencia, Instituto de Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ingeniería, UDELAR, Uruguay. Speaker(s): Mark Halpin, Room: 703, Bldg: Facultad de Ingeniería, Universidad de la República, Montevideo, Montevideo, Uruguay, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/382393

La actividad Desarrollo de habilidades en ciencia de datos y videojuegos consiste en un conversatorio en modalidad virtual que se llevará a cabo en la segunda semana de noviembre de 2023 se trata de una actividad de encuentro para dialogar sobre la IA y la Ciencia de datos en el desarrollo de videojuegos Con motivo de un correcto posicionamiento de la situación regional se solicita a los asistentes y público general completar este Cuestionario de perfil de egreso : https://t.ly/FwD4s Co-sponsored by: Games Technical Committee, University Playa Ancha Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/382305

Invitation El IEEE Joint chapter Nº 3 (EDS/SCC) de la sección Argentina lo invita a la conferencia “Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados” dictada por el distinguido conferencista del EDS IEEE Dr. Félix Palumbo. Cabe aclara que la charla es sponsoreada bajo el programa de conferencistas distingidos del IEEE Electron Devices Society. Abstracto En este artículo, analizamos la dependencia de la pendiente de Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialmente por experimentos de irradiación de microhaz cuidadosamente ajustados con diferentes dosis de carbono. La tendencia experimental consistente de reducir β con el aumento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simulaciones de descomposición basadas en la física que consideraron la generación de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de daños localizados (trayectorias de percolación parcial) creados por los iones que chocan. Los escenarios de distribución de defectos inicial espacialmente aleatoria y generación de defectos inducida por estrés aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales, lo que confirma que la generación de defectos correlacionados existe en HfO2, lo que altera bastante la comprensión convencional de TDDB. Speaker(s): Dr. Felix Palumbo, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/377609