Reunión de Directorio RAS Chile Centro, Diciembre 2022 Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/339848

To create a broad collaborative group of Young Professionals and Impact Creators to share some insights on cutting-edge technologies to all technology enthusiasts by having a panel discussion. The primary motivation of QT3 comes from the IEEE Strategic Plan 2020-2025 which inspires us to conduct this event with no boundaries. This provides opportunities to volunteers who collaborated to make this event a grand success. This quarter bringing 8th Edition on "Role of Cloud Computing on Society & its career opportunities". Explore more about it at: https://attend.ieee.org/qt3/ Co-sponsored by: IEEE Computer Society MGA & IEEE Young Professionals Ejército Libertador 441, Santiago, Region Metropolitana, Chile, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/321396

Fecha y horario Actualizada Invitation El IEEE Joint chapter Nº 3 (EDS/SCC) de la sección Argentina lo invita a la conferencia “Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados” dictada por el distinguido conferencista del IEEE Dr. Félix Palumbo. Abstracto En este artículo, analizamos la dependencia de la pendiente de Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialmente por experimentos de irradiación de microhaz cuidadosamente ajustados con diferentes dosis de carbono. La tendencia experimental consistente de reducir β con el aumento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simulaciones de descomposición basadas en la física que consideraron la generación de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de daños localizados (trayectorias de percolación parcial) creados por los iones que chocan. Los escenarios de distribución de defectos inicial espacialmente aleatoria y generación de defectos inducida por estrés aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales, lo que confirma que la generación de defectos correlacionados existe en HfO2, lo que altera bastante la comprensión convencional de TDDB. Speaker(s): Dr. Felix Palumbo, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/339344