Desarrollo de habilidades en Ciencia de Datos y Videojuegos
Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/382305La actividad Desarrollo de habilidades en ciencia de datos y videojuegos consiste en un conversatorio en modalidad virtual que se llevará a cabo en la segunda semana de noviembre de 2023 se trata de una actividad de encuentro para dialogar sobre la IA y la Ciencia de datos en el desarrollo de videojuegos Con motivo de un correcto posicionamiento de la situación regional se solicita a los asistentes y público general completar este Cuestionario de perfil de egreso : https://t.ly/FwD4s Co-sponsored by: Games Technical Committee, University Playa Ancha Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/382305
EDS/SSC DLL – 2023 – Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados
Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/377609Invitation El IEEE Joint chapter Nº 3 (EDS/SCC) de la sección Argentina lo invita a la conferencia “Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados” dictada por el distinguido conferencista del EDS IEEE Dr. Félix Palumbo. Cabe aclara que la charla es sponsoreada bajo el programa de conferencistas distingidos del IEEE Electron Devices Society. Abstracto En este artículo, analizamos la dependencia de la pendiente de Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialmente por experimentos de irradiación de microhaz cuidadosamente ajustados con diferentes dosis de carbono. La tendencia experimental consistente de reducir β con el aumento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simulaciones de descomposición basadas en la física que consideraron la generación de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de daños localizados (trayectorias de percolación parcial) creados por los iones que chocan. Los escenarios de distribución de defectos inicial espacialmente aleatoria y generación de defectos inducida por estrés aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales, lo que confirma que la generación de defectos correlacionados existe en HfO2, lo que altera bastante la comprensión convencional de TDDB. Speaker(s): Dr. Felix Palumbo, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/377609