EDS/SSC – Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados

Fecha y horario Actualizada Invitation El IEEE Joint chapter Nº 3 (EDS/SCC) de la sección Argentina lo invita a la conferencia “Proceso de generación de defectos espacio-temporales en pilas de MOS de HfO2 irradiadas: mecanismos correlacionados versus no correlacionados” dictada por el distinguido conferencista del IEEE Dr. Félix Palumbo. Abstracto En este artículo, analizamos la dependencia de la pendiente de Weibull (β) extraída de las pruebas TDDB en condensadores HfO2 MOS (MOSCAP) en la densidad inicial de defectos inducidos artificialmente por experimentos de irradiación de microhaz cuidadosamente ajustados con diferentes dosis de carbono. La tendencia experimental consistente de reducir β con el aumento de la densidad de defectos fue reproducible solo con simulaciones de descomposición basadas en la física que consideraron la generación de defectos correlacionados en HfO2 y los rastros de daños localizados (trayectorias de percolación parcial) creados por los iones que chocan. Los escenarios de distribución de defectos inicial espacialmente aleatoria y generación de defectos inducida por estrés aleatorio (en espacio y tiempo) no pudieron explicar las tendencias experimentales, lo que confirma que la generación de defectos correlacionados existe en HfO2, lo que altera bastante la comprensión convencional de TDDB. Speaker(s): Dr. Felix Palumbo, Virtual: https://events.vtools.ieee.org/m/339344